HBM과 모바일용 저전력 D램 개발 주도
손윤익 SK하이닉스 미래기술연구원 DPERI조직 팀장이 ‘대한민국 엔지니어상’(엔지니어상)’을 받았다.
SK하이닉스는 지난 17일 서울 강남구 삼정호텔에서 개최된 ‘2025년 상반기 대한민국 엔지니어상 시상식’에서 손 팀장이 엔지니어상을 수상했다고 밝혔다.
과학기술정보통신부와 한국산업기술진흥협회가 수여하는 엔지니어상은 산업 현장에서 탁월한 연구개발 성과를 이뤄낸 엔지니어에게 수여되며, 우리나라 기술 경쟁력을 높이는 데 기여한 주역들을 조명하고 있다.
IT 엔지니어 분야에서 수상하게 된 손 팀장은 SK하이닉스의 차세대 AI 반도체 기술 개발을 이끌어온 주역이다. 그는 AI 시대를 이끌어가는 핵심 반도체인 고대역폭 메모리(HBM)와 모바일용 저전력 D램인 LPDDR의 개발을 주도하며, 기술 한계에 지속적으로 도전해 온 공로를 인정받았다.
올해로 입사 19년 차를 맞은 손 팀장은 소자 엔지니어로서 다양한 D램 제품의 Peri트랜지스터 개발을 위해 힘써왔으며, 고성능·저전력·고신뢰성을 요구하는 까다로운 조건 속에서도 고객이 체감할 수 있는 수준의 성능 향상을 위한 기술 리더십을 발휘해 왔다.
특히 LPDDR5 개발 과정에서는 D램에 HKMG공정을 성공적으로 적용해 업계의 주목을 받기도 했다. 이 기술은 기존 대비 성능과 전력 효율을 동시에 개선할 수 있는 공정으로, SK하이닉스 메모리 제품의 경쟁력을 획기적으로 끌어올리는 데 이바지했다.
손 팀장은 “이번 수상은 저 혼자만의 성과라기보다, 수많은 동료와 함께 고민하고 도전해 온 시간에 대한 값진 결실이라고 생각한다”며 “앞으로도 ‘원팀 스피릿’으로 똘똘 뭉쳐 국가 산업 발전을 이끌 기술 혁신을 이어가겠다”는 수상소감을 밝혔다.
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